AFP3679S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFP3679S
Código: 3679S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 40 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 55 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 495 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFP3679S
AFP3679S Datasheet (PDF)
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AFP3679S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3679S, P-Channel enhancement mode -30V/-20A,RDS(ON)=10m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-15A,RDS(ON)=15m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suite
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