AFP3679S Todos los transistores

 

AFP3679S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFP3679S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 495 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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AFP3679S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:819K  alfa-mos
 afp3679s.pdf pdf_icon

AFP3679S

AFP3679S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3679S, P-Channel enhancement mode -30V/-20A,RDS(ON)=10m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-15A,RDS(ON)=15m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suite

Otros transistores... AFP3413 , AFP3413A , AFP3415 , AFP3425 , AFP3459 , AFP3481S , AFP3485 , AFP3497 , AON7408 , AFP3804 , AFP3981 , AFP3993 , AFP4403 , AFP4435 , AFP4435S , AFP4435W , AFP4435WS .

History: AP9416GM | BUZ349 | IAUC80N04S6L032 | SRC65R082B | GSM2317 | SL10N10A | HGA098N10S

 

 
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