AFP3993 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP3993  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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AFP3993 datasheet

 ..1. Size:577K  alfa-mos
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AFP3993

AFP3993 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3993, P-Channel enhancement mode -30V/-3.6A,RDS(ON)=150m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.2A,RDS(ON)=235m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.1. Size:531K  alfa-mos
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AFP3993

AFP3981 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3981, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.4A,RDS(ON)=135m @VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=190m @VGS=-1.8V These devices are particularly suited for

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