AFP4535 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP4535  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOP-8P

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AFP4535 datasheet

 ..1. Size:803K  alfa-mos
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AFP4535

AFP4535 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4535, P-Channel enhancement mode -40V/-6.2A,RDS(ON)= 35m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.2A,RDS(ON)= 50m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 0.1. Size:804K  alfa-mos
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AFP4535

AFP4535W Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4535W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.2A,RDS(ON)= 35m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.2A,RDS(ON)= 50m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 9.1. Size:988K  alfa-mos
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AFP4535

AFP4599W Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4599W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/8A,RDS(ON)= 22m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/6A,RDS(ON)= 28m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power ma

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