AFP4535W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFP4535W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8P
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AFP4535W Datasheet (PDF)
afp4535w.pdf

AFP4535W Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4535W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.2A,RDS(ON)= 35m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.2A,RDS(ON)= 50m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly
afp4535.pdf

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History: SE6880A | MLD685D | JCS10N65FC | PSMN9R0-30LL | IPB090N06N3 | IXTX102N65X2 | AOD409G
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Liste
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