AFP4599W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AFP4599W
   Código: 4599W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFP4599W

AFP4599W Datasheet (PDF)

..1. Size:988K alfa-mos
afp4599w.pdf

AFP4599W Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4599W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/8A,RDS(ON)= 22m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/6A,RDS(ON)= 28m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power ma

9.1. Size:804K alfa-mos
afp4535w.pdf

AFP4535W Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4535W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.2A,RDS(ON)= 35m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.2A,RDS(ON)= 50m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

9.2. Size:803K alfa-mos
afp4535.pdf

AFP4535 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4535, P-Channel enhancement mode -40V/-6.2A,RDS(ON)= 35m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.2A,RDS(ON)= 50m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

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Liste

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