AFP4599W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AFP4599W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: SOP-8P
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AFP4599W Datasheet (PDF)
afp4599w.pdf

AFP4599W Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4599W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/8A,RDS(ON)= 22m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/6A,RDS(ON)= 28m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power ma
afp4535w.pdf

AFP4535W Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4535W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.2A,RDS(ON)= 35m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.2A,RDS(ON)= 50m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly
afp4535.pdf

AFP4535 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4535, P-Channel enhancement mode -40V/-6.2A,RDS(ON)= 35m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.2A,RDS(ON)= 50m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: NCE8205 | STB10NK60ZT4 | NCEAP016N10LL | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | SSF65R420S2
History: NCE8205 | STB10NK60ZT4 | NCEAP016N10LL | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | SSF65R420S2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706