AFP4925 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP4925  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SOP-8P

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AFP4925 datasheet

 ..1. Size:499K  alfa-mos
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AFP4925

AFP4925 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4925, P-Channel enhancement mode -30V/ -7.2A,RDS(ON)=28m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ -5.8A,RDS(ON)=37m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 0.1. Size:589K  alfa-mos
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AFP4925

AFP4925S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4925S, P-Channel enhancement mode -30V/ -7.5A,RDS(ON)=18m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ -6.0A,RDS(ON)=26m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 0.2. Size:564K  alfa-mos
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AFP4925

AFP4925W Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4925W, P-Channel enhancement mode -30V/ -7.2A,RDS(ON)=30m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ -5.8A,RDS(ON)=36m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 0.3. Size:589K  alfa-mos
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AFP4925

AFP4925WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4925WS, P-Channel enhancement mode -30V/ -8.0A,RDS(ON)=18m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ -6.0A,RDS(ON)=26m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

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