AFP4943WS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP4943WS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SOP-8P

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AFP4943WS datasheet

 ..1. Size:505K  alfa-mos
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AFP4943WS

AFP4943WS Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4943WS, P-Channel enhancement mode -20V/ -9.0A,RDS(ON)=25m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/ -7.0A,RDS(ON)=32m @VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/ -3.0A,RDS(ON)=38m @VGS=-1.8V These devices are particularly suited

 8.1. Size:494K  alfa-mos
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AFP4943WS

AFP4948 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4948, P-Channel enhancement mode -60V/-4.0A,RDS(ON)= 100m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-3.0A,RDS(ON)= 120m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 9.1. Size:593K  alfa-mos
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AFP4943WS

AFP4953S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4953S, P-Channel enhancement mode -30V/-5.4A,RDS(ON)=52m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=76m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suite

 9.2. Size:589K  alfa-mos
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AFP4943WS

AFP4925S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4925S, P-Channel enhancement mode -30V/ -7.5A,RDS(ON)=18m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ -6.0A,RDS(ON)=26m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

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