AFP6993 Todos los transistores

 

AFP6993 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFP6993
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: -30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8P
     - Selección de transistores por parámetros

 

AFP6993 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:601K  alfa-mos
 afp6993.pdf pdf_icon

AFP6993

AFP6993 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP6993, P-Channel enhancement mode -30V/ -4.8A,RDS(ON)=32m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ -3.0A,RDS(ON)=38m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2N7089 | 2SJ362 | KUK7606-55A | PMN50UPE

 

 
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