IRFB23N15DPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFB23N15DPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFB23N15DPBF

IRFB23N15DPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:278K international rectifier
irfb23n15dpbf irfsl23n15dpbf.pdf

PD - 95535IRFB23N15DPbF IRFS23N15DPbFSMPS MOSFET IRFSL23N15DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters 150V 0.090 23Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)TO-220ABD2Pak TO-262l F

..2. Size:278K infineon
irfb23n15dpbf irfs23n15dpbf irfsl23n15dpbf.pdf

4.1. Size:142K international rectifier
irfs23n15d irfb23n15d irfsl23n15d.pdf

PD - 93894AIRFB23N15D IRFS23N15DSMPS MOSFET IRFSL23N15DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters 150V 0.090 23ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)TO-220ABD2Pak TO-262 Fully Characterized Avalan

4.2. Size:844K cn vbsemi
irfb23n15d.pdf

IRFB23N15Dwww.VBsemi.twN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 150 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.075 100 % Rg and UIS testedID (A) 20Configuration SinglePackage TO-220TO-220ABDGSSN-Channel MOSFETDGTop ViewSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise no

4.3. Size:227K inchange semiconductor
irfb23n15d.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFB23N15DIIRFB23N15DFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 90mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Frequency DC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: