IRFB23N15DPBF - описание и поиск аналогов

 

IRFB23N15DPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFB23N15DPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для IRFB23N15DPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB23N15DPBF даташит

 ..1. Size:278K  international rectifier
irfb23n15dpbf irfs23n15dpbf irfsl23n15dpbf.pdfpdf_icon

IRFB23N15DPBF

PD - 95535 IRFB23N15DPbF IRFS23N15DPbF SMPS MOSFET IRFSL23N15DPbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l High frequency DC-DC converters 150V 0.090 23A l Lead-Free Benefits l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) TO-220AB D2Pak TO-262 l F

 ..2. Size:278K  international rectifier
irfb23n15dpbf irfsl23n15dpbf.pdfpdf_icon

IRFB23N15DPBF

PD - 95535 IRFB23N15DPbF IRFS23N15DPbF SMPS MOSFET IRFSL23N15DPbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l High frequency DC-DC converters 150V 0.090 23A l Lead-Free Benefits l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) TO-220AB D2Pak TO-262 l F

 4.1. Size:142K  international rectifier
irfs23n15d irfb23n15d irfsl23n15d.pdfpdf_icon

IRFB23N15DPBF

PD - 93894A IRFB23N15D IRFS23N15D SMPS MOSFET IRFSL23N15D HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters 150V 0.090 23A Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) TO-220AB D2Pak TO-262 Fully Characterized Avalan

 4.2. Size:844K  cn vbsemi
irfb23n15d.pdfpdf_icon

IRFB23N15DPBF

IRFB23N15D www.VBsemi.tw N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 150 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.075 100 % Rg and UIS tested ID (A) 20 Configuration Single Package TO-220 TO-220AB D G S S N-Channel MOSFET D G Top View S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise no

Другие MOSFET... IRFB17N50L , IRFB17N50LPBF , IRFB17N60K , IRFB17N60KPBF , IRFB18N50K , IRFB18N50KPBF , IRFB20N50K , IRFB20N50KPBF , 10N60 , IRFB23N20DPBF , IRFB260NPBF , IRFB3004GPBF , IRFB3004PBF , IRFB3006GPBF , IRFB3006PBF , IRFB3077GPBF , IRFB3077PBF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.