IRLW530A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLW530A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
Encapsulados: TO263
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IRLW530A datasheet
irlw530a.pdf
Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.12 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.101 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute
Otros transistores... IRLU2703 , IRLU2705 , IRLU2905 , IRLU3103 , IRLU3303 , IRLU3410 , IRLW510A , IRLW520A , IRF540 , IRLW540A , IRLW610A , IRLW620A , IRLW630A , IRLW640A , IRLWZ14A , IRLWZ24A , IRLWZ34A .
History: STV7NA40 | NTB6412AN | SML1004RBN | SML100J19 | IRFB4310ZGPBF
History: STV7NA40 | NTB6412AN | SML1004RBN | SML100J19 | IRFB4310ZGPBF
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Liste
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MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
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