IRLW530A Todos los transistores

 

IRLW530A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLW530A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: TO263

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IRLW530A datasheet

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IRLW530A

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IRLW530A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.12 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.101 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute

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IRLW530A

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IRLW530A

Otros transistores... IRLU2703 , IRLU2705 , IRLU2905 , IRLU3103 , IRLU3303 , IRLU3410 , IRLW510A , IRLW520A , IRF540 , IRLW540A , IRLW610A , IRLW620A , IRLW630A , IRLW640A , IRLWZ14A , IRLWZ24A , IRLWZ34A .

History: STV7NA40 | NTB6412AN | SML1004RBN | SML100J19 | IRFB4310ZGPBF

 

 

 

 

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