IRFB61N15DPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFB61N15DPBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Encapsulados: TO-220AB
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IRFB61N15DPBF datasheet
irfb61n15dpbf.pdf
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irfb61n15d.pdf
PD- 94207 SMPS MOSFET IRFB61N15D HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters 150V 0.032 60A Motor Control Uninterrutible Power Supplies Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Vo
irfb61n15d.pdf
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