Справочник MOSFET. IRFB61N15DPBF

 

IRFB61N15DPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFB61N15DPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 95 nC
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для IRFB61N15DPBF

 

 

IRFB61N15DPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  international rectifier
 irfb61n15dpbf.pdf

IRFB61N15DPBF IRFB61N15DPBF

PD- 95621SMPS MOSFETIRFB61N15DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters150V 0.032 60Al Motor Controll Uninterrutible Power Suppliesl Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Char

 ..2. Size:170K  infineon
 irfb61n15dpbf.pdf

IRFB61N15DPBF IRFB61N15DPBF

PD- 95621SMPS MOSFETIRFB61N15DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters150V 0.032 60Al Motor Controll Uninterrutible Power Suppliesl Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Char

 4.1. Size:211K  international rectifier
 irfb61n15d.pdf

IRFB61N15DPBF IRFB61N15DPBF

PD- 94207SMPS MOSFETIRFB61N15DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters150V 0.032 60A Motor Control Uninterrutible Power SuppliesBenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Vo

 4.2. Size:245K  inchange semiconductor
 irfb61n15d.pdf

IRFB61N15DPBF IRFB61N15DPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB61N15DIIRFB61N15DFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 32mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency DC-DC convertersUninterruptible Power SuppliesABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: LNC10N65

 

 
Back to Top