AM1331P Todos los transistores

 

AM1331P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM1331P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.112 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70
 

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AM1331P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  analog power
 am1331p.pdf pdf_icon

AM1331P

Analog Power AM1331PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.112 @ VG = -10V -1.5converters and power management in portable and S-30battery-powered produ

 9.1. Size:154K  analog power
 am1330n.pdf pdf_icon

AM1331P

Analog Power AM1330NN-Channel 30V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.058 @ VGS = 10 V 2.0battery-powered products such

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History: SST3585 | JMPL0648AU | SST213 | NTGD3148NT1G | JMPL0622AK | JMH65R980ACFP

 

 
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