AM1331P - аналоги и даташиты транзистора

 

AM1331P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AM1331P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.112 Ohm
   Тип корпуса: SC-70
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM1331P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  analog power
 am1331p.pdf pdf_icon

AM1331P

Analog Power AM1331PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.112 @ VG = -10V -1.5converters and power management in portable and S-30battery-powered produ

 9.1. Size:154K  analog power
 am1330n.pdf pdf_icon

AM1331P

Analog Power AM1330NN-Channel 30V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.058 @ VGS = 10 V 2.0battery-powered products such

Другие MOSFET... AM110P06-06B , AM110P08-11B , AM12N65P , AM12N65PCFM , AM1320N , AM1321P , AM1323P , AM1330N , IRFP260N , AM1340N , AM1360NE , AM1370N , AM1400NE , AM1420N , AM1421P , AM1430N , AM1431P .

History: AONS36314

 

 
Back to Top

 


 
.