AM1340N Todos los transistores

 

AM1340N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM1340N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70
 

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AM1340N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  analog power
 am1340n.pdf pdf_icon

AM1340N

Analog Power AM1340NN-Channel 40V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.086 @ VGS = 10 V 1.7battery-powered products such

Otros transistores... AM110P08-11B , AM12N65P , AM12N65PCFM , AM1320N , AM1321P , AM1323P , AM1330N , AM1331P , IRF640N , AM1360NE , AM1370N , AM1400NE , AM1420N , AM1421P , AM1430N , AM1431P , AM1432NE .

History: R6509KNX | WMK53N65F2 | AP9918J

 

 
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