AM1420N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM1420N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: SC-70

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AM1420N datasheet

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AM1420N

Analog Power AM1420N N-Channel 20V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.058 @ VGS = 4.5 V 4.3 battery-powered products suc

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AM1420N

Analog Power AM1421P P-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC 0.079 @ VGS = -4.5V -3.7 converters and power management in portable and -20 battery-powered produc

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