AM1420N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM1420N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.56 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.7 V
   Carga de la puerta (Qg): 2.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 24 nS
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM1420N

AM1420N Datasheet (PDF)

..1. Size:182K analog power
am1420n.pdf

Analog Power AM1420NN-Channel 20V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.058 @ VGS = 4.5 V 4.3battery-powered products suc

9.1. Size:135K analog power
am1421p.pdf

Analog Power AM1421PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.079 @ VGS = -4.5V -3.7converters and power management in portable and -20battery-powered produc

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History: QM2418Y1

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: