Справочник MOSFET. AM1420N

 

AM1420N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM1420N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SC-70
 

 Аналог (замена) для AM1420N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM1420N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  analog power
 am1420n.pdf pdf_icon

AM1420N

Analog Power AM1420NN-Channel 20V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.058 @ VGS = 4.5 V 4.3battery-powered products suc

 9.1. Size:135K  analog power
 am1421p.pdf pdf_icon

AM1420N

Analog Power AM1421PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.079 @ VGS = -4.5V -3.7converters and power management in portable and -20battery-powered produc

Другие MOSFET... AM1321P , AM1323P , AM1330N , AM1331P , AM1340N , AM1360NE , AM1370N , AM1400NE , AON6414A , AM1421P , AM1430N , AM1431P , AM1432NE , AM1433PE , AM1434N , AM1440N , AM1523CE .

History: MS23N22

 

 
Back to Top

 


 
.