AM1420N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM1420N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: SC-70

Аналог (замена) для AM1420N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM1420N даташит

 ..1. Size:182K  analog power
 am1420n.pdf pdf_icon

AM1420N

Analog Power AM1420N N-Channel 20V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.058 @ VGS = 4.5 V 4.3 battery-powered products suc

 9.1. Size:135K  analog power
 am1421p.pdf pdf_icon

AM1420N

Analog Power AM1421P P-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC 0.079 @ VGS = -4.5V -3.7 converters and power management in portable and -20 battery-powered produc

Другие IGBT... AM1321P, AM1323P, AM1330N, AM1331P, AM1340N, AM1360NE, AM1370N, AM1400NE, IRFB4227, AM1421P, AM1430N, AM1431P, AM1432NE, AM1433PE, AM1434N, AM1440N, AM1523CE