AM1421P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM1421P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.079 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM1421P

AM1421P Datasheet (PDF)

..1. Size:135K analog power
am1421p.pdf

Analog Power AM1421PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.079 @ VGS = -4.5V -3.7converters and power management in portable and -20battery-powered produc

9.1. Size:182K analog power
am1420n.pdf

Analog Power AM1420NN-Channel 20V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.058 @ VGS = 4.5 V 4.3battery-powered products suc

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Liste

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