AM1421P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AM1421P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.079 Ohm
Тип корпуса: SC-70
Аналог (замена) для AM1421P
AM1421P Datasheet (PDF)
am1421p.pdf

Analog Power AM1421PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.079 @ VGS = -4.5V -3.7converters and power management in portable and -20battery-powered produc
am1420n.pdf

Analog Power AM1420NN-Channel 20V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.058 @ VGS = 4.5 V 4.3battery-powered products suc
Другие MOSFET... AM1323P , AM1330N , AM1331P , AM1340N , AM1360NE , AM1370N , AM1400NE , AM1420N , IRFB4115 , AM1430N , AM1431P , AM1432NE , AM1433PE , AM1434N , AM1440N , AM1523CE , AM1535CE .
History: AM1400NE | DMT8012LK3 | MS65R600F
History: AM1400NE | DMT8012LK3 | MS65R600F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c