IRLWZ14A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLWZ14A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 31 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 7.2 nC
Tiempo de subida (tr): 16 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.155 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLWZ14A
IRLWZ14A Datasheet (PDF)
irlwz14a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRLW/IZ14AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.155 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature2A (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.122 (Typ.)112331. Gate 2. Dra
irlwz44a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRLW/IZ44AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.025 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 50 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.02 (Typ.)112331. Gate 2. Drain
irlwz24a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRLW/IZ24AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.075 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature2A (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.061 (Typ.)112331. Gate 2. Dra
irlwz34a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRLW/IZ34AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 16 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.046 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 30 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.033 (Typ.)112331. Gate 2. Drain
Otros transistores... IRLW510A , IRLW520A , IRLW530A , IRLW540A , IRLW610A , IRLW620A , IRLW630A , IRLW640A , IRF640 , IRLWZ24A , IRLWZ34A , IRLWZ44A , IRLZ10 , IRLZ14 , IRLZ14A , IRLZ20 , IRLZ24 .