AM1963PE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM1963PE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.57 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM1963PE

AM1963PE Datasheet (PDF)

..1. Size:305K analog power
am1963pe.pdf

Analog Power AM1963PEDual P-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)700 @ VGS = -10V -0.57 Low thermal impedance -60860 @ VGS = -4.5V -0.52 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO

9.1. Size:289K analog power
am1960ne.pdf

Analog Power AM1960NEDual N-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) ()VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)2 @ VGS = 10V0.32 Low thermal impedance 603 @ VGS = 4.5V0.26 Fast switching speed Typical Applications: DC/DC Conversion Circuits Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS OTHERWISE NOTED)

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Liste

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