AM1963PE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM1963PE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.34 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.57 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 1.1 nC
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 11 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.7 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-70
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM1963PE
AM1963PE Datasheet (PDF)
am1963pe.pdf
Analog Power AM1963PEDual P-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)700 @ VGS = -10V -0.57 Low thermal impedance -60860 @ VGS = -4.5V -0.52 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO
am1960ne.pdf
Analog Power AM1960NEDual N-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) ()VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)2 @ VGS = 10V0.32 Low thermal impedance 603 @ VGS = 4.5V0.26 Fast switching speed Typical Applications: DC/DC Conversion Circuits Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS OTHERWISE NOTED)
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