AM1963PE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM1963PE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: SC-70

Аналог (замена) для AM1963PE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM1963PE даташит

 ..1. Size:305K  analog power
 am1963pe.pdf pdf_icon

AM1963PE

Analog Power AM1963PE Dual P-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 700 @ VGS = -10V -0.57 Low thermal impedance -60 860 @ VGS = -4.5V -0.52 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO

 9.1. Size:289K  analog power
 am1960ne.pdf pdf_icon

AM1963PE

Analog Power AM1960NE Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) ( ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 2 @ VGS = 10V 0.32 Low thermal impedance 60 3 @ VGS = 4.5V 0.26 Fast switching speed Typical Applications DC/DC Conversion Circuits Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Другие IGBT... AM1541CE, AM1561CE, AM1580CE, AM1590CE, AM1922NE, AM1925PE, AM1936NE, AM1960NE, AO3401, AM20N06-90D, AM20N06-90I, AM20N10-115D, AM20N10-130D, AM20N10-180D, AM20N10-250D, AM20N10-250DE, AM20N10-350D