2SJ449 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ449

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO220F

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2SJ449 datasheet

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2SJ449

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SJ449 SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SJ449 is P-Channel MOS Field Effect Transistor de- PACKAGE DIMENSIONS signed for high voltage switching applications. (in millimeters) 10.0 0.3 4.5 0.2 FEATURES 3.2 0.2 2.7 0.2 Low On-Resistance RDS(on) = 0.8 MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 3.0 A) L

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2SJ449

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SJ449 SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SJ449 is P-Channel MOS Field Effect Transistor de- PACKAGE DIMENSIONS signed for high voltage switching applications. (in millimeters) 10.0 0.3 4.5 0.2 FEATURES 3.2 0.2 2.7 0.2 Low On-Resistance RDS(on) = 0.8 MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 3.0 A) L

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2SJ449

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2SJ449

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