IRFBC40LPBF Todos los transistores

 

IRFBC40LPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFBC40LPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFBC40LPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:377K  international rectifier
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IRFBC40LPBF

PD - 95546IRFBC40S/LPbF Lead-Free7/22/04Document Number: 91116 www.vishay.com1IRFBC40S/LPbFDocument Number: 91116 www.vishay.com2IRFBC40S/LPbFDocument Number: 91116 www.vishay.com3IRFBC40S/LPbFDocument Number: 91116 www.vishay.com4IRFBC40S/LPbFDocument Number: 91116 www.vishay.com5IRFBC40S/LPbFDocument Number: 91116 www.vishay.com6IRFBC40S/LPbF

 ..2. Size:986K  vishay
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IRFBC40LPBF

IRFBC40S, IRFBC40L, SiHFBC40S, SiHFBC40LVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface Mount (IRFBC40S/SiHFBC40S)VDS (V) 600Available Low-Profile Through-Hole (IRFBC40L, SiHFBC40L)RDS(on) ()VGS = 10 V 1.2RoHS* Available in Tape and Reel (IRFBC20S,COMPLIANTQg (Max.) (nC) 60SiHFBC20S)Qgs (nC) 8.3 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 30 15

 6.1. Size:167K  international rectifier
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IRFBC40LPBF

 6.2. Size:350K  international rectifier
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IRFBC40LPBF

PD - 91016AIRFBC40S/LHEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRFBC40S)D Low-profile through-hole (IRFBC40L) VDSS = 600V Available in Tape & Reel (IRFBC40S) Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 1.2 150C Operating TemperatureG Fast SwitchingID = 6.2A Fully Avalanche RatedSDescriptionThird generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with thebes

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