IRFBG20PBF MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFBG20PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFBG20PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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IRFBG20PBF datasheet

..1. Size:625K international rectifier
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PD- 95271 IRFBG20PbF Lead-Free 05/20/04 Document Number 91123 www.vishay.com 1 IRFBG20PbF Document Number 91123 www.vishay.com 2 IRFBG20PbF Document Number 91123 www.vishay.com 3 IRFBG20PbF Document Number 91123 www.vishay.com 4 IRFBG20PbF Document Number 91123 www.vishay.com 5 IRFBG20PbF Document Number 91123 www.vishay.com 6 IRFBG20PbF Document Number 9

..2. Size:1174K vishay
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IRFBG20, SiHFBG20 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 1000 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 11 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 4.9 Simple Drive Requirements Qgd (nC) 22 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Configuration Single D

7.1. Size:169K international rectifier
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7.2. Size:1123K infineon
irfbg20 sihfbg20.pdf pdf_icon

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