Справочник MOSFET. IRFBG20PBF

 

IRFBG20PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFBG20PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для IRFBG20PBF

 

 

IRFBG20PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  international rectifier
 irfbg20pbf.pdf

IRFBG20PBF IRFBG20PBF

PD- 95271IRFBG20PbF Lead-Free05/20/04Document Number: 91123 www.vishay.com1IRFBG20PbFDocument Number: 91123 www.vishay.com2IRFBG20PbFDocument Number: 91123 www.vishay.com3IRFBG20PbFDocument Number: 91123 www.vishay.com4IRFBG20PbFDocument Number: 91123 www.vishay.com5IRFBG20PbFDocument Number: 91123 www.vishay.com6IRFBG20PbFDocument Number: 9

 ..2. Size:1174K  vishay
 irfbg20pbf sihfbg20.pdf

IRFBG20PBF IRFBG20PBF

IRFBG20, SiHFBG20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 1000Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 11RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 4.9 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 22 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleD

 7.1. Size:169K  international rectifier
 irfbg20.pdf

IRFBG20PBF IRFBG20PBF

 7.2. Size:1123K  infineon
 irfbg20 sihfbg20.pdf

IRFBG20PBF IRFBG20PBF

IRFBG20, SiHFBG20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 1000Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 11RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 4.9 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 22 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleD

 7.3. Size:284K  inchange semiconductor
 irfbg20.pdf

IRFBG20PBF IRFBG20PBF

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFBG20FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 11 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2 to 4V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top