IRFD010 Todos los transistores

 

IRFD010 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFD010
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIP-4
 

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IRFD010 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:439K  international rectifier
 irfd010 irfd012.pdf pdf_icon

IRFD010

 8.1. Size:1360K  international rectifier
 irfd014pbf.pdf pdf_icon

IRFD010

PD- 95920IRFD014PbF Lead-Free10/27/04Document Number: 91125 www.vishay.com1IRFD014PbFDocument Number: 91125 www.vishay.com2IRFD014PbFDocument Number: 91125 www.vishay.com3IRFD014PbFDocument Number: 91125 www.vishay.com4IRFD014PbFDocument Number: 91125 www.vishay.com5IRFD014PbFDocument Number: 91125 www.vishay.com6IRFD014PbFPeak Diode Recovery

 8.2. Size:171K  international rectifier
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IRFD010

 8.3. Size:2019K  vishay
 irfd014 sihfd014.pdf pdf_icon

IRFD010

IRFD014, SiHFD014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 11COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.1Qgd (nC) 5.8 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of Paralleling Simple Drive Requireme

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History: SGSP369 | HM4N70F | BSZ12DN20NS3G | 2SK2901-01S | 2SK3680-01 | 2SK3582TK | 2SK3479-ZJ

 

 
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