IRFD020PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFD020PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIP-4

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFD020PBF

IRFD020PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:218K vishay
irfd020 irfd020pbf sihfd020.pdf

IRFD020, SiHFD020Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY For Automatic InsertionVDS (V) 50Available Compact, End StackableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.10RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 7.1 Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 7.1Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

7.1. Size:242K vishay
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8.1. Size:172K international rectifier
irfd024.pdf

8.2. Size:1270K vishay
irfd024pbf sihfd024.pdf

IRFD024, SiHFD024Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.10RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 25COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.8Qgd (nC) 11 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of Paralleling Simple Drive Requiremen

8.3. Size:1268K vishay
irfd024 sihfd024.pdf

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Liste

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