IRFD110PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFD110PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm

Encapsulados: DIP-4

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IRFD110PBF datasheet

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IRFD110PBF

PD- 95927 IRFD110PbF Lead-Free 10/27/04 Document Number 91127 www.vishay.com 1 IRFD110PbF Document Number 91127 www.vishay.com 2 IRFD110PbF Document Number 91127 www.vishay.com 3 IRFD110PbF Document Number 91127 www.vishay.com 4 IRFD110PbF Document Number 91127 www.vishay.com 5 IRFD110PbF Document Number 91127 www.vishay.com 6 IRFD110PbF Peak Diode Recovery

 ..2. Size:149K  vishay
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IRFD110PBF

IRFD110, SiHFD110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.54 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 8.3 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.3 Qgd (nC) 3.8 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switching and Ease of Parall

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IRFD110PBF

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IRFD110PBF

IRFD110, SiHFD110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.54 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 8.3 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.3 Qgd (nC) 3.8 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switching and Ease of Parall

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