IRFD420PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFD420PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.37 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: DIP-4
Búsqueda de reemplazo de IRFD420PBF MOSFET
IRFD420PBF Datasheet (PDF)
irfd420pbf sihfd420.pdf
IRFD420, SiHFD420Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0 For Automatic InsertionRoHS*Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT End StackableQgs (nC) 3.3 Fast SwitchingQgd (nC) 13 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirements
irfd420.pdf
PD- 95929IRFD420PbF Lead-Free10/28/04Document Number: 91135 www.vishay.com1IRFD420PbFDocument Number: 91135 www.vishay.com2IRFD420PbFDocument Number: 91135 www.vishay.com3IRFD420PbFDocument Number: 91135 www.vishay.com4IRFD420PbFDocument Number: 91135 www.vishay.com5IRFD420PbFDocument Number: 91135 www.vishay.com6IRFD420PbFDocument Number: 91
irfd420 sihfd420.pdf
IRFD420, SiHFD420Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0 For Automatic InsertionRoHS*Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT End StackableQgs (nC) 3.3 Fast SwitchingQgd (nC) 13 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirements
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History: PJP2NA60 | BUK763R4-30 | UPA2770GR | BLF6G38-100 | AONS38203 | AP18T10GP
History: PJP2NA60 | BUK763R4-30 | UPA2770GR | BLF6G38-100 | AONS38203 | AP18T10GP
Liste
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