IRFD9120PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFD9120PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: DIP-4

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IRFD9120PBF datasheet

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IRFD9120PBF

PD- 95919 IRFD9120PbF Lead-Free 10/28/04 Document Number 91139 www.vishay.com 1 IRFD9120PbF Document Number 91139 www.vishay.com 2 IRFD9120PbF Document Number 91139 www.vishay.com 3 IRFD9120PbF Document Number 91139 www.vishay.com 4 IRFD9120PbF Document Number 91139 www.vishay.com 5 IRFD9120PbF Document Number 91139 www.vishay.com 6 IRFD9120PbF Peak Diode R

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IRFD9120PBF

IRFD9120, SiHFD9120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.60 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 18 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 3.0 Qgd (nC) 9.0 P-Channel Configuration Single 175 C Operating Temperature Fast Switchin

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IRFD9120PBF

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by IRFD9120/D IRFD9120 TMOS Field Effect Transistor IRFD9123 Dual In Line Package P-Channel Enhancement Mode Ideal for Peripheral Control Applications TMOS FET TRANSISTORS Intermediate 1 Watt Power Capability FET DIP Standard DIP Outline 1 DRAIN 1 3 2 2 GATE CASE 370-01, STYLE 1 3 SOURCE MAXIMUM RAT

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