IRFD9120PBF Todos los transistores

 

IRFD9120PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFD9120PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIP-4
 

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IRFD9120PBF Datasheet (PDF)

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IRFD9120PBF

PD- 95919IRFD9120PbF Lead-Free10/28/04Document Number: 91139 www.vishay.com1IRFD9120PbFDocument Number: 91139 www.vishay.com2IRFD9120PbFDocument Number: 91139 www.vishay.com3IRFD9120PbFDocument Number: 91139 www.vishay.com4IRFD9120PbFDocument Number: 91139 www.vishay.com5IRFD9120PbFDocument Number: 91139 www.vishay.com6IRFD9120PbFPeak Diode R

 ..2. Size:2028K  vishay
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IRFD9120PBF

IRFD9120, SiHFD9120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT End StackableQgs (nC) 3.0Qgd (nC) 9.0 P-ChannelConfiguration Single 175 C Operating Temperature Fast Switchin

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IRFD9120PBF

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby IRFD9120/DIRFD9120TMOS Field Effect TransistorIRFD9123Dual In Line PackageP-Channel Enhancement Mode Ideal for Peripheral Control Applications TMOS FETTRANSISTORS Intermediate 1 Watt Power CapabilityFET DIP Standard DIP Outline1 DRAIN1322GATECASE 370-01, STYLE 13 SOURCEMAXIMUM RAT

 6.2. Size:173K  international rectifier
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