IRFD9120PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFD9120PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: DIP-4
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRFD9120PBF Datasheet (PDF)
irfd9120pbf.pdf

PD- 95919IRFD9120PbF Lead-Free10/28/04Document Number: 91139 www.vishay.com1IRFD9120PbFDocument Number: 91139 www.vishay.com2IRFD9120PbFDocument Number: 91139 www.vishay.com3IRFD9120PbFDocument Number: 91139 www.vishay.com4IRFD9120PbFDocument Number: 91139 www.vishay.com5IRFD9120PbFDocument Number: 91139 www.vishay.com6IRFD9120PbFPeak Diode R
irfd9120pbf sihfd9120.pdf

IRFD9120, SiHFD9120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT End StackableQgs (nC) 3.0Qgd (nC) 9.0 P-ChannelConfiguration Single 175 C Operating Temperature Fast Switchin
irfd9120.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby IRFD9120/DIRFD9120TMOS Field Effect TransistorIRFD9123Dual In Line PackageP-Channel Enhancement Mode Ideal for Peripheral Control Applications TMOS FETTRANSISTORS Intermediate 1 Watt Power CapabilityFET DIP Standard DIP Outline1 DRAIN1322GATECASE 370-01, STYLE 13 SOURCEMAXIMUM RAT
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: RJK2508DPK | 30N06G-TN3-T | 2SK417 | S65N07M | FDZ206P | TPC65R260M | BRCS100N06BD
History: RJK2508DPK | 30N06G-TN3-T | 2SK417 | S65N07M | FDZ206P | TPC65R260M | BRCS100N06BD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d