IRFD9120PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFD9120PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: DIP-4
Аналог (замена) для IRFD9120PBF
IRFD9120PBF Datasheet (PDF)
irfd9120pbf.pdf
PD- 95919IRFD9120PbF Lead-Free10/28/04Document Number: 91139 www.vishay.com1IRFD9120PbFDocument Number: 91139 www.vishay.com2IRFD9120PbFDocument Number: 91139 www.vishay.com3IRFD9120PbFDocument Number: 91139 www.vishay.com4IRFD9120PbFDocument Number: 91139 www.vishay.com5IRFD9120PbFDocument Number: 91139 www.vishay.com6IRFD9120PbFPeak Diode R
irfd9120pbf sihfd9120.pdf
IRFD9120, SiHFD9120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT End StackableQgs (nC) 3.0Qgd (nC) 9.0 P-ChannelConfiguration Single 175 C Operating Temperature Fast Switchin
irfd9120.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby IRFD9120/DIRFD9120TMOS Field Effect TransistorIRFD9123Dual In Line PackageP-Channel Enhancement Mode Ideal for Peripheral Control Applications TMOS FETTRANSISTORS Intermediate 1 Watt Power CapabilityFET DIP Standard DIP Outline1 DRAIN1322GATECASE 370-01, STYLE 13 SOURCEMAXIMUM RAT
irfd9120 sihfd9120.pdf
IRFD9120, SiHFD9120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT End StackableQgs (nC) 3.0Qgd (nC) 9.0 P-ChannelConfiguration Single 175 C Operating Temperature Fast Switchin
irfd9120 sihfd9120.pdf
IRFD9120, SiHFD9120Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT End StackableQgs (nC) 3.0Qgd (nC) 9.0 P-ChannelConfiguration Single 175 C Operating TemperatureS Fast Switc
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918