IRFDC20PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFDC20PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm
Encapsulados: DIP-4
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IRFDC20PBF datasheet
irfdc20pbf sihfdc20.pdf
IRFDC20, SiHFDC20 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 600 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 4.4 RoHS* For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 18 End Stackable Qgs (nC) 3.0 Fast Switching Qgd (nC) 8.9 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirement
irfdc20.pdf
PD- 95914 IRFDC20PbF Lead-Free 10/28/04 Document Number 91142 www.vishay.com 1 IRFDC20PbF Document Number 91142 www.vishay.com 2 IRFDC20PbF Document Number 91142 www.vishay.com 3 IRFDC20PbF Document Number 91142 www.vishay.com 4 IRFDC20PbF Document Number 91142 www.vishay.com 5 IRFDC20PbF Document Number 91142 www.vishay.com 6 IRFDC20PbF Document Number 91
irfdc20 sihfdc20.pdf
IRFDC20, SiHFDC20 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 600 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 4.4 RoHS* For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 18 End Stackable Qgs (nC) 3.0 Fast Switching Qgd (nC) 8.9 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirement
Otros transistores... IRFD9014PBF, IRFD9020PBF, IRFD9024PBF, IRFD9110PBF, IRFD9113, IRFD9120PBF, IRFD9210PBF, IRFD9220PBF, IRFB7545, IRFEA240, IRFF034, IRFF212, IRFF213, IRFF30B, IRFF30C, IRFF640, IRFG110
History: SM6F02NSW | RSS070N05
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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