IRFF034 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFF034

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO39

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IRFF034 datasheet

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IRFF034

IRFF034 Dimensions in mm (inches). N-Channel MOSFET 8.64 (0.34) 9.40 (0.37) 8.01 (0.315) in a 9.01 (0.355) Hermetically sealed TO39 4.06 (0.16) 4.57 (0.18) Metal Package. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) dia. N-Channel MOSFET. 5.08 (0.200) typ. VDSS = 60V 2.54 ID = 16A 2 (0.100) 1 3 0.74 (0.029) RDS(ON) = 0.05

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IRFF034

PD - 90657 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS IRFF024 THRU-HOLE (TO-205AF) 60V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF024 60V 0.15 8.0A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design achi

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