IRFF034 Todos los transistores

 

IRFF034 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFF034
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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IRFF034 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:12K  semelab
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IRFF034

IRFF034Dimensions in mm (inches). N-Channel MOSFET 8.64 (0.34)9.40 (0.37)8.01 (0.315) in a 9.01 (0.355)Hermetically sealed TO39 4.06 (0.16)4.57 (0.18)Metal Package. 0.89 max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)dia.N-Channel MOSFET. 5.08 (0.200)typ.VDSS = 60V 2.54ID = 16A 2(0.100)1 30.74 (0.029)RDS(ON) = 0.05

 9.1. Size:132K  international rectifier
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IRFF034

PD - 90657REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDHEXFETTRANSISTORS IRFF024THRU-HOLE (TO-205AF) 60V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF024 60V 0.15 8.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design achi

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History: HM4853B | 4N60L-TA3-T | SQ7415AENW

 

 
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