IRFF034 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFF034
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Qgⓘ - Carga de la puerta: 47 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO39
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFF034
IRFF034 Datasheet (PDF)
irff034.pdf
IRFF034Dimensions in mm (inches). N-Channel MOSFET 8.64 (0.34)9.40 (0.37)8.01 (0.315) in a 9.01 (0.355)Hermetically sealed TO39 4.06 (0.16)4.57 (0.18)Metal Package. 0.89 max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)dia.N-Channel MOSFET. 5.08 (0.200)typ.VDSS = 60V 2.54ID = 16A 2(0.100)1 30.74 (0.029)RDS(ON) = 0.05
irff024.pdf
PD - 90657REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDHEXFETTRANSISTORS IRFF024THRU-HOLE (TO-205AF) 60V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF024 60V 0.15 8.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design achi
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History: HM3426B | APT15F60B
Liste
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