IRFF034 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFF034
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 14 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 47 nC
trⓘ - Время нарастания: 110 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO39
IRFF034 Datasheet (PDF)
irff034.pdf
IRFF034Dimensions in mm (inches). N-Channel MOSFET 8.64 (0.34)9.40 (0.37)8.01 (0.315) in a 9.01 (0.355)Hermetically sealed TO39 4.06 (0.16)4.57 (0.18)Metal Package. 0.89 max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)dia.N-Channel MOSFET. 5.08 (0.200)typ.VDSS = 60V 2.54ID = 16A 2(0.100)1 30.74 (0.029)RDS(ON) = 0.05
irff024.pdf
PD - 90657REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDHEXFETTRANSISTORS IRFF024THRU-HOLE (TO-205AF) 60V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF024 60V 0.15 8.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design achi
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918