IRFF034. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFF034

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO39

Аналог (замена) для IRFF034

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFF034 даташит

 ..1. Size:12K  semelab
 irff034.pdf pdf_icon

IRFF034

IRFF034 Dimensions in mm (inches). N-Channel MOSFET 8.64 (0.34) 9.40 (0.37) 8.01 (0.315) in a 9.01 (0.355) Hermetically sealed TO39 4.06 (0.16) 4.57 (0.18) Metal Package. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) dia. N-Channel MOSFET. 5.08 (0.200) typ. VDSS = 60V 2.54 ID = 16A 2 (0.100) 1 3 0.74 (0.029) RDS(ON) = 0.05

 9.1. Size:132K  international rectifier
 irff024.pdf pdf_icon

IRFF034

PD - 90657 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS IRFF024 THRU-HOLE (TO-205AF) 60V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF024 60V 0.15 8.0A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design achi

Другие IGBT... IRFD9024PBF, IRFD9110PBF, IRFD9113, IRFD9120PBF, IRFD9210PBF, IRFD9220PBF, IRFDC20PBF, IRFEA240, K2611, IRFF212, IRFF213, IRFF30B, IRFF30C, IRFF640, IRFG110, IRFG5110, IRFG5210