IRFG5210 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFG5210
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.68 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
Paquete / Cubierta: MO-036AB
Búsqueda de reemplazo de IRFG5210 MOSFET
Principales características: IRFG5210
irfg5210.pdf
PD - 91664B IRFG5210 POWER MOSFET 200V, Combination 2N-2P-CHANNEL THRU-HOLE (MO-036AB) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG5210 1.6 0.68A N IRFG5210 1.6 -0.68A P HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The MO-036AB efficient geometry design achieves very low
irfg5110.pdf
PD - 90437D IRFG5110 POWER MOSFET 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL THRU-HOLE (MO-036AB) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG5110 0.7 1.0A N IRFG5110 0.7 -1.0A P HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state res
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Liste
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