Справочник MOSFET. IRFG5210

 

IRFG5210 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFG5210
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.68 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: MO-036AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFG5210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  international rectifier
 irfg5210.pdf pdf_icon

IRFG5210

PD - 91664BIRFG5210POWER MOSFET200V, Combination 2N-2P-CHANNELTHRU-HOLE (MO-036AB)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG5210 1.6 0.68A N IRFG5210 1.6 -0.68A PHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheMO-036ABefficient geometry design achieves very low

 9.1. Size:392K  international rectifier
 irfg5110.pdf pdf_icon

IRFG5210

PD - 90437DIRFG5110POWER MOSFET 100V, Combination 2N-2P-CHANNELTHRU-HOLE (MO-036AB) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) ID CHANNEL IRFG5110 0.7 1.0A N IRFG5110 0.7 -1.0A PHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state res

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.