IRFH5210PBF Todos los transistores

 

IRFH5210PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFH5210PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.6 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 40 nC

Tiempo de elevación (tr): 9.7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0149 Ohm

Empaquetado / Estuche: PQFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFH5210PBF

 

IRFH5210PBF Datasheet (PDF)

1.1. irfh5210pbf.pdf Size:210K _upd-mosfet

IRFH5210PBF
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PD - 97490A IRFH5210PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 100 V RDS(on) max 14.9 mΩ (@VGS = 10V) Qg (typical) 40 nC RG (typical) 1.7 Ω ID 55 A PQFN 5X6 mm (@Tc(Bottom) = 25°C) Applications • Secondary Side Synchronous Rectification • Inverters for DC Motors • DC-DC Brick Applications • Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (≤ 14.9mΩ

1.2. irfh5210pbf.pdf Size:256K _international_rectifier

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IRFH5210PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 100 V RDS(on) max 14.9 mΩ (@VGS = 10V) Qg (typical) 40 nC RG (typical) 1.7 Ω ID 55 A PQFN 5X6 mm (@Tc(Bottom) = 25°C) Applications • Secondary Side Synchronous Rectification • Inverters for DC Motors • DC-DC Brick Applications • Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (≤ 14.9mΩ at Vgs = 10V)

 3.1. irfh5215pbf.pdf Size:252K _international_rectifier

IRFH5210PBF
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IRFH5215PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 150 V RDS(on) max 58 mΩ (@VGS = 10V) Qg (typical) 21 nC RG (typical) 2.3 Ω ID PQFN 5X6 mm 27 A (@Tc(Bottom) = 25°C) Applications • Primary Side Synchronous Rectification • Inverters for DC Motors • DC-DC Brick Applications • Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (< 58 mΩ) Lower Conduction Lo

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