IRFH5210PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFH5210PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0149 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для IRFH5210PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH5210PBF даташит

 ..1. Size:210K  international rectifier
irfh5210pbf.pdfpdf_icon

IRFH5210PBF

PD - 97490A IRFH5210PbF HEXFET Power MOSFET VDS 100 V RDS(on) max 14.9 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 40 nC RG (typical) 1.7 ID 55 A PQFN 5X6 mm (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon ( 14.9m

 7.1. Size:235K  international rectifier
irfh5215pbf.pdfpdf_icon

IRFH5210PBF

IRFH5215PbF HEXFET Power MOSFET VDS 150 V RDS(on) max 58 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 21 nC RG (typical) 2.3 ID PQFN 5X6 mm 27 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Primary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (

 8.1. Size:292K  international rectifier
irfh5206pbf.pdfpdf_icon

IRFH5210PBF

PD -97466 IRFH5206PbF HEXFET Power MOSFET VDS 60 V RDS(on) max 6.7 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 40 nC RG (typical) 1.7 ID 89 A (@Tc(Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon ( 7.0m at Vgs=10V) L

 8.2. Size:261K  international rectifier
irfh5250pbf.pdfpdf_icon

IRFH5210PBF

IRFH5250PbF HEXFET Power MOSFET VDS 25 V RDS(on) max 1.15 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 52 nC RG (typical) 1.3 ID 100 A PQFN 5X6 mm (@Tmb = 25 C) Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features and Benefits Benefits Features Low RDSon (

Другие IGBT... IRFH5007PBF, IRFH5010PBF, IRFH5015PBF, IRFH5020PBF, IRFH5053PBF, IRFH5106PBF, IRFH5206PBF, IRFH5207PBF, 8205A, IRFH5250PBF, IRFH5255PBF, IRFH5300PBF, IRFH5301PBF, IRFH5303PBF, IRFH5304PBF, IRFH5306PBF, IRFH5406PBF