AM3531C Todos los transistores

 

AM3531C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM3531C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

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AM3531C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  analog power
 am3531c.pdf pdf_icon

AM3531C

Analog Power AM3531CN & P-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETsPRODUCT SUMMARYutilize a high cell density trench process to VDS (V) rDS(on) ()ID (A)provide low rDS(on) and to ensure minimal 0.058 @ VGS = 4.5V 3.7power loss and heat dissipation. Typical 30applications are DC-DC converters and 0.082 @ V = 2.5V 3.1GSpower management in portable a

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History: SIB441EDK | IRFU9010PBF | BLS65R560-P | APT10026JFLL | STD10NF30 | SQD50N02-04L | SFG110N12FF

 

 
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