ITF87008DQT Todos los transistores

 

ITF87008DQT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ITF87008DQT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 185 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de ITF87008DQT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ITF87008DQT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  intersil
 itf87008dqt.pdf pdf_icon

ITF87008DQT

ITF87008DQTData Sheet March 2000 File Number 4814.27.0A, 20V, 0.023 Ohm, Dual N-Channel, Features2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.023, VGS = 4.5VPackaging- rDS(ON) = 0.024, VGS = 4.0VTSSOP-8- rDS(ON) = 0.029, VGS = 2.5V 2.5 Volt Gate Drive Capability5 Gate to Source Protection Diode1 Simulation Models243- T

 8.1. Size:236K  intersil
 itf87056dqt.pdf pdf_icon

ITF87008DQT

ITF87056DQTData Sheet March 2000 File Number 4813.25A, 20V, 0.045 Ohm, Dual P-Channel, Features2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.045, VGS = -4.5VPackaging- rDS(ON) = 0.048, VGS = -4.0VTSSOP-8- rDS(ON) = 0.077, VGS = -2.5V 2.5V Gate Drive Capability5 Gate to Source Protection Diode1 Simulation Models243- Temp

 8.2. Size:186K  intersil
 itf87052svt.pdf pdf_icon

ITF87008DQT

ITF87052SVTData Sheet March 2000 File Number 4800.33A, 20V, 0.115 Ohm, P-Channel, Features2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.115, VGS = -4.5VPackaging- rDS(ON) = 0.120, VGS = -4.0VTSOP-6- rDS(ON) = 0.190, VGS = -2.5V 2.5 V Gate Drive Capability Small Profile Package41 Gate to Source Protection Diode23 Simula

 8.3. Size:196K  intersil
 itf87068sqt.pdf pdf_icon

ITF87008DQT

ITF87068SQTData Sheet March 2000 File Number 4811.29A, 20V, 0.015 Ohm, P-Channel, Features2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.015, VGS = -4.5VPackaging- rDS(ON) = 0.016, VGS = -4.0VTSSOP-8- rDS(ON) = 0.023, VGS = -2.5V5 2.5V Gate Drive Capability1 Gate to Source Protection Diode243 Simulation Models- Temperatur

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK3053

 

 
Back to Top

 


 
.