ITF87008DQT Todos los transistores

 

ITF87008DQT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ITF87008DQT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 185 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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ITF87008DQT datasheet

 ..1. Size:201K  intersil
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ITF87008DQT

ITF87008DQT Data Sheet March 2000 File Number 4814.2 7.0A, 20V, 0.023 Ohm, Dual N-Channel, Features 2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 4.5V Packaging - rDS(ON) = 0.024 , VGS = 4.0V TSSOP-8 - rDS(ON) = 0.029 , VGS = 2.5V 2.5 Volt Gate Drive Capability 5 Gate to Source Protection Diode 1 Simulation Models 2 4 3 - T... See More ⇒

 8.1. Size:236K  intersil
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ITF87008DQT

ITF87056DQT Data Sheet March 2000 File Number 4813.2 5A, 20V, 0.045 Ohm, Dual P-Channel, Features 2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.045 , VGS = -4.5V Packaging - rDS(ON) = 0.048 , VGS = -4.0V TSSOP-8 - rDS(ON) = 0.077 , VGS = -2.5V 2.5V Gate Drive Capability 5 Gate to Source Protection Diode 1 Simulation Models 2 4 3 - Temp... See More ⇒

 8.2. Size:186K  intersil
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ITF87008DQT

ITF87052SVT Data Sheet March 2000 File Number 4800.3 3A, 20V, 0.115 Ohm, P-Channel, Features 2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.115 , VGS = -4.5V Packaging - rDS(ON) = 0.120 , VGS = -4.0V TSOP-6 - rDS(ON) = 0.190 , VGS = -2.5V 2.5 V Gate Drive Capability Small Profile Package 4 1 Gate to Source Protection Diode 2 3 Simula... See More ⇒

 8.3. Size:196K  intersil
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ITF87008DQT

ITF87068SQT Data Sheet March 2000 File Number 4811.2 9A, 20V, 0.015 Ohm, P-Channel, Features 2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.015 , VGS = -4.5V Packaging - rDS(ON) = 0.016 , VGS = -4.0V TSSOP-8 - rDS(ON) = 0.023 , VGS = -2.5V 5 2.5V Gate Drive Capability 1 Gate to Source Protection Diode 2 4 3 Simulation Models - Temperatur... See More ⇒

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