ITF87008DQT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ITF87008DQT 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 185 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Encapsulados: TSSOP8
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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
ITF87008DQT datasheet
itf87008dqt.pdf
ITF87008DQT Data Sheet March 2000 File Number 4814.2 7.0A, 20V, 0.023 Ohm, Dual N-Channel, Features 2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 4.5V Packaging - rDS(ON) = 0.024 , VGS = 4.0V TSSOP-8 - rDS(ON) = 0.029 , VGS = 2.5V 2.5 Volt Gate Drive Capability 5 Gate to Source Protection Diode 1 Simulation Models 2 4 3 - T
itf87056dqt.pdf
ITF87056DQT Data Sheet March 2000 File Number 4813.2 5A, 20V, 0.045 Ohm, Dual P-Channel, Features 2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.045 , VGS = -4.5V Packaging - rDS(ON) = 0.048 , VGS = -4.0V TSSOP-8 - rDS(ON) = 0.077 , VGS = -2.5V 2.5V Gate Drive Capability 5 Gate to Source Protection Diode 1 Simulation Models 2 4 3 - Temp
itf87052svt.pdf
ITF87052SVT Data Sheet March 2000 File Number 4800.3 3A, 20V, 0.115 Ohm, P-Channel, Features 2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.115 , VGS = -4.5V Packaging - rDS(ON) = 0.120 , VGS = -4.0V TSOP-6 - rDS(ON) = 0.190 , VGS = -2.5V 2.5 V Gate Drive Capability Small Profile Package 4 1 Gate to Source Protection Diode 2 3 Simula
itf87068sqt.pdf
ITF87068SQT Data Sheet March 2000 File Number 4811.2 9A, 20V, 0.015 Ohm, P-Channel, Features 2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.015 , VGS = -4.5V Packaging - rDS(ON) = 0.016 , VGS = -4.0V TSSOP-8 - rDS(ON) = 0.023 , VGS = -2.5V 5 2.5V Gate Drive Capability 1 Gate to Source Protection Diode 2 4 3 Simulation Models - Temperatur
Otros transistores... IRLZ44NL, IRLZ44NS, ITF86110DK8T, ITF86116SQT, ITF86130SK8T, ITF86172SK8T, ITF86174SQT, ITF86182SK8T, SPP20N60C3, ITF87012SVT, ITF87052SVT, ITF87056DQT, ITF87068SQT, ITF87072DK8T, 12N65KL-TF, 20N03, 2N0609
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: APT7F100B | APT8024JLL
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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