ITF87008DQT. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ITF87008DQT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 185 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: TSSOP8
Аналог (замена) для ITF87008DQT
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ITF87008DQT даташит
itf87008dqt.pdf
ITF87008DQT Data Sheet March 2000 File Number 4814.2 7.0A, 20V, 0.023 Ohm, Dual N-Channel, Features 2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 4.5V Packaging - rDS(ON) = 0.024 , VGS = 4.0V TSSOP-8 - rDS(ON) = 0.029 , VGS = 2.5V 2.5 Volt Gate Drive Capability 5 Gate to Source Protection Diode 1 Simulation Models 2 4 3 - T
itf87056dqt.pdf
ITF87056DQT Data Sheet March 2000 File Number 4813.2 5A, 20V, 0.045 Ohm, Dual P-Channel, Features 2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.045 , VGS = -4.5V Packaging - rDS(ON) = 0.048 , VGS = -4.0V TSSOP-8 - rDS(ON) = 0.077 , VGS = -2.5V 2.5V Gate Drive Capability 5 Gate to Source Protection Diode 1 Simulation Models 2 4 3 - Temp
itf87052svt.pdf
ITF87052SVT Data Sheet March 2000 File Number 4800.3 3A, 20V, 0.115 Ohm, P-Channel, Features 2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.115 , VGS = -4.5V Packaging - rDS(ON) = 0.120 , VGS = -4.0V TSOP-6 - rDS(ON) = 0.190 , VGS = -2.5V 2.5 V Gate Drive Capability Small Profile Package 4 1 Gate to Source Protection Diode 2 3 Simula
itf87068sqt.pdf
ITF87068SQT Data Sheet March 2000 File Number 4811.2 9A, 20V, 0.015 Ohm, P-Channel, Features 2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.015 , VGS = -4.5V Packaging - rDS(ON) = 0.016 , VGS = -4.0V TSSOP-8 - rDS(ON) = 0.023 , VGS = -2.5V 5 2.5V Gate Drive Capability 1 Gate to Source Protection Diode 2 4 3 Simulation Models - Temperatur
Другие MOSFET... IRLZ44NL , IRLZ44NS , ITF86110DK8T , ITF86116SQT , ITF86130SK8T , ITF86172SK8T , ITF86174SQT , ITF86182SK8T , 13N50 , ITF87012SVT , ITF87052SVT , ITF87056DQT , ITF87068SQT , ITF87072DK8T , 12N65KL-TF , 20N03 , 2N0609 .
History: WMK20N50D1 | IRF3415PBF | ITF87068SQT | ITF87072DK8T
History: WMK20N50D1 | IRF3415PBF | ITF87068SQT | ITF87072DK8T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583






