AM3599C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM3599C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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AM3599C datasheet

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AM3599C

Analog Power AM3599C N & P-Channel 32-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs PRODUCT SUMMARY utilize a high cell density trench process to VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) provide low rDS(on) and to ensure minimal 0.063 @ V = 10V 3.7 GS power loss and heat dissipation. Typical 30 applications are DC-DC converters and 0.090 @ V = 4.5V 3.1 GS power management in portabl

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