Справочник MOSFET. AM3599C

 

AM3599C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM3599C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для AM3599C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM3599C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  analog power
 am3599c.pdf pdf_icon

AM3599C

Analog Power AM3599CN & P-Channel 32-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETsPRODUCT SUMMARYutilize a high cell density trench process to VDS (V) rDS(on) ()ID (A)provide low rDS(on) and to ensure minimal 0.063 @ V = 10V 3.7GSpower loss and heat dissipation. Typical 30applications are DC-DC converters and 0.090 @ V = 4.5V 3.1GSpower management in portabl

Другие MOSFET... AM3490NE , AM3491P , AM3492NE , AM3520C , AM3524C , AM3531C , AM3548C , AM3560C , 12N60 , AM35N03-40D , AM35N03-59D , AM3850C , AM3902N , AM3904N , AM3906N , AM3921P , AM3922N .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | QM3018D | PD696BA

 

 
Back to Top

 


 
.