AM3599C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AM3599C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.15 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.2 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.063 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
AM3599C Datasheet (PDF)
am3599c.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Analog Power AM3599CN & P-Channel 32-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETsPRODUCT SUMMARYutilize a high cell density trench process to VDS (V) rDS(on) ()ID (A)provide low rDS(on) and to ensure minimal 0.063 @ V = 10V 3.7GSpower loss and heat dissipation. Typical 30applications are DC-DC converters and 0.090 @ V = 4.5V 3.1GSpower management in portabl
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![AM3599C](https://alltransistors.com/images/us.png)
![AM3599C](https://alltransistors.com/images/es.png)
![AM3599C](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C