AM3599C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM3599C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для AM3599C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM3599C даташит

 ..1. Size:217K  analog power
 am3599c.pdf pdf_icon

AM3599C

Analog Power AM3599C N & P-Channel 32-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs PRODUCT SUMMARY utilize a high cell density trench process to VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) provide low rDS(on) and to ensure minimal 0.063 @ V = 10V 3.7 GS power loss and heat dissipation. Typical 30 applications are DC-DC converters and 0.090 @ V = 4.5V 3.1 GS power management in portabl

Другие IGBT... AM3490NE, AM3491P, AM3492NE, AM3520C, AM3524C, AM3531C, AM3548C, AM3560C, STP75NF75, AM35N03-40D, AM35N03-59D, AM3850C, AM3902N, AM3904N, AM3906N, AM3921P, AM3922N