AM3850C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM3850C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.64 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM3850C

AM3850C Datasheet (PDF)

..1. Size:522K analog power
am3850c.pdf

Analog Power AM3850CN & P-Channel 25-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs VDS (V) rDS(on) ()ID (A)utilize High Cell Density process. Low 0.45 @ VGS = 4.5V 1.2rDS(on) assures minimal power loss and 25conserves energy, making this device ideal 0.72 @ VGS = 2.5V 1.0for use in power management circuitry. 1.09 @ VGS = -4.5V -0.85-25Typical applications are D

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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