AM3850C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM3850C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

 Búsqueda de reemplazo de AM3850C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AM3850C datasheet

 ..1. Size:522K  analog power
 am3850c.pdf pdf_icon

AM3850C

Analog Power AM3850C N & P-Channel 25-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) utilize High Cell Density process. Low 0.45 @ VGS = 4.5V 1.2 rDS(on) assures minimal power loss and 25 conserves energy, making this device ideal 0.72 @ VGS = 2.5V 1.0 for use in power management circuitry. 1.09 @ VGS = -4.5V -0.85 -25 Typical applications are D

Otros transistores... AM3520C, AM3524C, AM3531C, AM3548C, AM3560C, AM3599C, AM35N03-40D, AM35N03-59D, IRF4905, AM3902N, AM3904N, AM3906N, AM3921P, AM3922N, AM3925P, AM3930N, AM3932N