AM3962NE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM3962NE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.15 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 3 nC
   Tiempo de subida (tr): 12 nS
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.153 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM3962NE

AM3962NE Datasheet (PDF)

..1. Size:202K analog power
am3962ne.pdf

Analog Power AM3962NEN-Channel 60-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETsPRODUCT SUMMARYutilize a high cell density trench process to VDS (V) rDS(on) ()ID (A)provide low rDS(on) and to ensure minimal 0.153 @ VGS = 10V 2.3power loss and heat dissipation. Typical 60applications are DC-DC converters and 0.185 @ VGS = 4.5V 2.1power management in portable and D

7.1. Size:180K analog power
am3962n.pdf

Analog Power AM3962NN-Channel 60-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETsPRODUCT SUMMARYutilize High Cell Density process. Low VDS (V) rDS(on) ()ID (A)rDS(on) assures minimal power loss and 0.153 @ VGS = 10V 2.3conserves energy, making this device ideal 60for use in power management circuitry. 0.185 @ VGS = 4.5V 2.1Typical applications are DC-DC converters,

9.1. Size:323K analog power
am3961p.pdf

Analog Power AM3961PP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)310 @ VGS = -10V -1.6 Low thermal impedance -60465 @ VGS = -4.5V -1.3 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXI

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Liste

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