AM3993P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM3993P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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AM3993P datasheet

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AM3993P

Analog Power AM3993P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures PRODUCT SUMMARY minimal power loss and conserves energy, making VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A) this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are DC-DC 0.130 @ VGS = -10V -2.5 -30 converters, power management in po

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AM3993P

Analog Power AM3998N Dual N-Channel Logical Level MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC 0.058 @ VGS = 4.5 V 3.7 converters and power management in portable and 20 battery-powere

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