AM3993P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM3993P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.15 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 6 nC
   Tiempo de subida (tr): 20 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM3993P

AM3993P Datasheet (PDF)

..1. Size:146K analog power
am3993p.pdf

Analog Power AM3993PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures PRODUCT SUMMARYminimal power loss and conserves energy, making VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are DC-DC 0.130 @ VGS = -10V -2.5-30converters, power management in po

9.1. Size:134K analog power
am3998n.pdf

Analog Power AM3998NDual N-Channel Logical Level MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.058 @ VGS = 4.5 V 3.7converters and power management in portable and 20battery-powere

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Liste

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