AM3998N Todos los transistores

 

AM3998N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM3998N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

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AM3998N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  analog power
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AM3998N

Analog Power AM3998NDual N-Channel Logical Level MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.058 @ VGS = 4.5 V 3.7converters and power management in portable and 20battery-powere

 9.1. Size:146K  analog power
 am3993p.pdf pdf_icon

AM3998N

Analog Power AM3993PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures PRODUCT SUMMARYminimal power loss and conserves energy, making VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are DC-DC 0.130 @ VGS = -10V -2.5-30converters, power management in po

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History: 2SK1259 | VS3615GE | PJL9418 | AM20P06-135D | AUIRF7669L2TR | BF1207 | HFS2N70S

 

 
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